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Vishay Siliconix推出业内率先采用PowerPAK~ SC-75和SC-70封装的功率MOSFET
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摘要
VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款100VN沟道TrenchFET功率MOSFET-SiB456DK和SiA416DJ,将Vishay的ThunderFET应用到更小的封装尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是业内首次采用这种小尺寸、
出处
《电子设计工程》
2013年第3期186-186,共1页
Electronic Design Engineering
关键词
功率MOSFET
SC-70封装
封装尺寸
INC
N沟道
小尺寸
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录[J]
.电子设计工程,2012,20(14):71-71.
2
赵佶.
Vishay MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录[J]
.半导体信息,2014(2):5-6.
3
江兴.
Vishay Siliconix的双芯片P沟道器件刷新业内最低导通电阻纪录[J]
.半导体信息,2011(2):14-15.
4
Vishay推出首款带有同体封装的190V功率二极管的190V N通道功率MOSFET[J]
.电子与电脑,2009,9(2):66-66.
5
Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MoSFET-——SiA427DJ[J]
.电子质量,2011(2):38-38.
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SiA936EDJ:功率MOSFET[J]
.世界电子元器件,2014(6):25-25.
7
Vishay推出20VMOSFET可显著提高便携式电子产品[J]
.集成电路应用,2015,0(3):44-44.
8
SiA427DJ:功率MOSFET[J]
.世界电子元器件,2011(3):34-34.
9
FAN4931:运算放大器[J]
.世界电子元器件,2010(5):35-35.
10
采用热增强封装的150V N沟道MOSFET[J]
.今日电子,2014(6):67-67.
电子设计工程
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