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创意电子发布28nm DDR3—2133／LPDDR2复合式IP

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摘要创意电子日前推出28nm DDR3—2133／LPDDR2组合PHY与控制器IP。全新的复合式IP使用台积电28nmHPM制程，提供PHY、控制器与DDR系统完整的解决方案。

出处《集成电路应用》 2013年第1期42-42,共1页 Application of IC

关键词 DDR3 复合式电子创意 DDR系统控制器 PHY 台积电

分类号 TP911.7 [自动化与计算机技术]

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