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GaAs MESFET准二维动态大信号模型

Quasi-Two-Dimensional Dynamic Large-signal GaAs MESFET Model
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摘要 本文运用电荷控制分析方法 ,提出了GaAsMESFET以电荷源为基本组成元件的大信号非线性动态模型 .该模型在解决了电荷不守恒问题以及DC与RF电流不一致性问题的同时 ,结合器件的温度特性与自升温效应 。 This paper presents a nonlinear dynamic large signal model for GaAs MESFETs with charge sources as elements by way of charge control methodology.Besides solving the problems of charge non conservation and current non consistency under DC and RF conditions,the model realizes the quasi two dimensional dynamic analysis considering the temperature characteristics and self heating effect.
作者 王静 邓先灿
出处 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期143-144,F003,共3页 Acta Electronica Sinica
关键词 大信号模型 准二维分析 砷化镓 MESFET large-signal model charge-control methodology self-heating effect quasi-two dimensional analysis
  • 相关文献

参考文献3

  • 1[1]Muhammad N.,Tor A.F.A new charge conserving capacitance model for GaAs MESFET[J].IEEE Trans.Electron Devices,1997,ED-44(11):1813-1821.
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