半导体所在单晶硅太阳电池研究中获得突破

由半导体所韩培德研究员领导的光伏能源组，在国家纵向经费和自筹经费的支持下，瞄准光伏企业需求，经过多年苦战，综合了入射光减反技术、钝化技术、选择性发射极技术、背面局部重掺技术等优点，在单晶硅衬底上研发出效率高达20．0％的太阳电池（短路电流密度Jsc=43．9mA／cm2，开路电压Voc=602mV，填充因子FF=0．758），并经中国计量科学研究院认证。