新型存储器速度更快储存量更大

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摘要据欧洲材料研究协会与英国伦敦大学学院等机构的研究人员日前发表的报告称，他们发现可用硅的氧化物制作一种新的忆阻材料，以此为基础的存储设备可运用于常规环境，而以前开发出的存储设备只能在高度真空状态下使用。新技术比现有闪存技术更快、更节能，闪存需要1万纳秒运行的．新记忆棒只需90纳秒。有报道称，这是业界近来的研发热点，科研人员已经在与制造商合作准备生产样品．

出处《科技潮》 2012年第6期10-10,共1页 Science & Culture

关键词储存量存储器速度存储设备闪存技术研究人员伦敦大学真空状态

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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