SiC新一代电力电子器件的进展(续) 被引量：1

Progress of the New Generation SiC Power Electronic Devices ( Continued)

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摘要 5 SiC JFET SiC JFET利用p-n结耗尽区来控制沟道电流,可全面开发SiC的高温性能,适合高温高功率开关。SiC JFET通常是常开的,关断需加负栅压,其具有本征安全的栅驱动控制。SiC JFET具有低开关损耗、高开关频率的特点。1999年,P.Friedrichs等人[46]研发了第一代4H-SiC JFET,浪涌电流能力为200 A/cm2,到2004年经历三代SiC JFET技术。

作者赵正平

机构地区中国电子科技集团公司

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期161-167,共7页 Semiconductor Technology

关键词 4H-SIC 电力电子器件 JFET 高温性能驱动控制低开关损耗沟道电流 P-N结

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]

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