中芯国际背照式成像传感技术取得突破

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布在背照式CMOS成像传感技术研发领域取得突破性进展，首款背照式CMOS成像传感测试芯片一次流片即获得成功，在低照度下同样获得高质量的清晰图像。这标志着中芯国际自主开发的背照式CMOS成像传感芯片全套晶圆工艺核心技术接近成熟，步人产业化阶段，更好地满足高端智能移动终端的需要。该技术将于2013年与客户伙伴进行试产。