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我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破
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摘要
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在22nm技术代集成电路关键技术研发上取得突破性进展,掌握这种工艺将有利于提升我国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。
出处
《军民两用技术与产品》
2013年第3期30-30,共1页
Dual Use Technologies & Products
关键词
集成电路制造工艺
研发中心
电子研究所
中国科学院
生产制造
突破性
技术
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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军民两用技术与产品
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