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Cu(In,Ga)Se_2薄膜在共蒸发“三步法”中的相变过程 被引量：4

The phase transformation of Cu(In,Ga)Se_2 film prepared by three-stage process of co-evaporation
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摘要 CIGS薄膜的结晶相是制备高质量薄膜的关键问题.本文采用共蒸发"三步法"工艺沉积Gu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)和X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电镜(SEM)结合的方法详细研究了"三步法"工艺的相变过程,并制备出转换效率超过15%的CIGS薄膜太阳电池. The Cu（In, Ga）Se2 （CIGS） phase transformation during the ＂three-stage＂ evaporation is the key problem for obtaining high-quality absorber. Cu（In, Ga）Se2 （CIGS） thin film has been prepared via co-evaporation ＂three-stage process＂. The phase transformation was studied by means of XRD, XRF （X-ray fluoroscopy） and SEM. And the efficiency above 15% of CIGS film solar cell was obtained succossfully.
作者 刘芳芳 张力 何青
机构地区 南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期385-391,共7页 Acta Physica Sinica
基金 国家自然科学基金(批准号:61144002)资助的课题~~
关键词 CIGS薄膜 共蒸发三步法 相变过程 CIGS film, co-evaporation ＂three-stage process＂, phase transformation
分类号 O484.1 [理学—固体物理]
  • 相关文献

参考文献11

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引证文献4

二级引证文献8

物理学报
2013年 第7期

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