用ICP源的Cl等离子体钝化GaAs和InGaAs避蚀刻引起的损伤
被引量：1
同被引文献6
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1吴汉明,董大为.感应耦合等离子体（ICP）和电子回旋共振（ECR）刻蚀机的发展概况及比较[J].电子材料（机电部）,1994(12):7-9. 被引量：1
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2宏声.离子注入技术在合成材料上的应用及研究动向[J].等离子体应用技术快报,1996(7):1-3. 被引量：1
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3苏岗,洪锦华,吴思晋.离子束刻蚀光导HgCdTe探测器芯片的温度限制[J].红外技术,1997,19(4):25-26. 被引量：2
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4蓉佳.烃等离子体聚合物涂层[J].等离子体应用技术快报,1999(12):10-11. 被引量：1
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5樊中朝,余金中,陈少武.ICP刻蚀技术及其在光电子器件制作中的应用[J].微细加工技术,2003(2):21-28. 被引量：32
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6魏珂,刘训春,曹振亚,王润梅,罗明雄,牛立华.适用于阵列波导光栅制作的厚SiO_2陡直刻蚀技术[J].Journal of Semiconductors,2003,24(11):1222-1225. 被引量：3
二级引证文献11
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1陈刚,李哲洋,陈征,冯忠,陈雪兰,柏松.4H-SiC MESFET工艺中的金属掩膜研究[J].半导体技术,2008,33(S1):241-243. 被引量：2
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2陈磊,张靖,张瑞康,江山.感应耦合等离子刻蚀InP工艺[J].功能材料与器件学报,2007,13(3):276-280.
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3徐淑丽,张国栋.InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究[J].红外技术,2012,34(3):151-154.
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4陈永远,邓军,史衍丽,苗霈,杨利鹏.InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀[J].红外与激光工程,2013,42(2):433-437. 被引量：5
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5于怀勇,吴衍记,雷明,李宗利.硅基波导谐振腔特性分析与实验研究[J].导航定位与授时,2015,2(2):46-53. 被引量：3
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6王富强,马行空,瞿宜斌.3A/40V新型肖特基势垒二极管的设计与研制[J].电子科技,2016,29(3):134-136.
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7乔辉,刘诗嘉,刘向阳,朱龙源,兰添翼,赵水平,王妮丽,李向阳.感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性[J].半导体光电,2016,37(1):59-62. 被引量：2
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8徐纯洁,张福刚,崔立加,张雪峰,徐浩,刘日久,李根范,王世凯,郑载润.感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善[J].液晶与显示,2017,32(4):265-268. 被引量：5
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9曹健,郝晓亮,王秀海.ICP工艺原理与故障分析[J].电子工业专用设备,2020,49(1):50-54. 被引量：6
-
10查甫德,徐纯洁,李根范,张木,崔立加,冯耀耀,朱梅花,杨增乾,刘增利,陈正伟,郑载润.ICP设备光刻胶灰化工艺中膜层残留的改善[J].液晶与显示,2020,35(12):1264-1269.
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1许留洋,高欣,袁绪泽,夏晓宇,曹曦文,乔忠良,薄报学.GaAs半导体表面的S-N混合等离子体钝化及在激光器工艺上的应用[J].光电子．激光,2017,28(2):143-146. 被引量：2
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2新华.中科院苏州纳米所增强型GaN HEMT器件研究获进展[J].军民两用技术与产品,2017,0(5):26-26.
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3李娟,刘政鹏,罗翀,孟志国,熊绍珍.多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究[J].功能材料,2014,45(3):88-91.
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