摘要
文章介绍了热壁外延(HWE) 技术及其应用.主要介绍了用热壁外延技术制作的几种Ⅳ- Ⅵ族半导体红外探测器和激光器,介绍了这方面国际上近年来的一些新进展。
Hot wall epitaxy (HWE)technology and its application are described,with emphasis on several kind of IR detectors and lasers made by HWE.New developments in this field including our own work are presented.
出处
《物理》
CAS
1999年第12期738-740,共3页
Physics
基金
集成光电子国家重点联合实验室资助
关键词
热壁外延
Ⅳ-Ⅵ族半导体
红外探测器
hot wall epitaxy,Ⅳ-Ⅵ semiconductor, IR detector, IR laser