摘要
根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 。
A new model is established to perform simulation for Single\|Event Gate\|Rupture of power MOSFETs in use of PSPICE circuit simulation software. The application results have a very good agreement with the corresponding data in published articles. [
出处
《计算物理》
CSCD
北大核心
2000年第1期77-81,共5页
Chinese Journal of Computational Physics
