隔离门极两极晶体管工艺的最新进展
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1Silicon Labs发表高集成度隔离门极驱动IC[J].单片机与嵌入式系统应用,2008,8(6):87-87.
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2Si82xx：5kV隔离门极驱动IC[J].世界电子元器件,2010(6):40-40.
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3Chang,HR,李佑持.具有槽式门极结构的隔离门极晶体管（IGBT）[J].国外电力电子技术,1990(2):7-10.
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4Silicon Labs发表业界最高集成度隔离门极驱动IC[J].电子技术应用,2008,34(6):121-121.
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5ADI公司推出内置隔离电源的隔离门极驱动器[J].单片机与嵌入式系统应用,2008(5):86-86.
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6ADI推出新隔离门极驱动器[J].现代制造,2008(15):26-26.
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7ADI公司推出内置隔离电源的隔离门极驱动器[J].电信技术,2008(4):114-114.
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8隔离门极驱动器系列[J].今日电子,2010(12):62-63.
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95kV隔离门极驱动IC[J].今日电子,2010(6):71-72.
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