16纳米/14纳米FinFET技术:最新最前沿的电子技术

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摘要 FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术,是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比,FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为＂三栅＂的FinFET技术,同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。虽然该技术具有巨大的优势,但也带来了一些新的设计挑战,它的成功,

作者徐季平

机构地区 Cadence研发部

出处《电子产品世界》 2013年第4期35-36,共2页 Electronic Engineering & Product World

关键词 FINFET 电子技术纳米电子行业晶体管平面型英特尔优势

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

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1孙再吉.英特尔开发3D晶体管将进入批量生产[J].半导体信息,2011,0(3):7-7.
2刘佳,骆志炯.基于体硅衬底制作全耗尽FinFET器件的工艺方案[J].微电子学,2013,43(1):120-124. 被引量：3
3李越,黄安平,郑晓虎,王玫,肖志松.金属栅/高k基FinFET研究进展[J].微纳电子技术,2012,49(12):775-780.
4王丽英.3D晶体管为摩尔定律注入新活力[J].今日电子,2011(6):25-25. 被引量：1
5刘保军,蔡理,董治光,徐国强.纳米FinFET器件的单粒子效应研究(英文)[J].原子核物理评论,2014(4):516-521. 被引量：4
6王丽英.3D晶体管技术将是高端FPGA的主流选择[J].今日电子,2013(4):25-25.
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8要闻[J].电子产品世界,2011,18(6):1-1.
9赵佶.SoC已有眉目微细化至10nm无需3D晶体管[J].半导体信息,2012,0(6):24-25.
10沈熙磊.IMEC验证FinFET优势22纳米及以下节点FinFET或是必须选择[J].半导体信息,2011,0(4):14-15.

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