摘要
系统研究了采用热——原子层沉积技术生长的Al2O3对p型晶体硅的表面钝化特性。Al2O3膜层的钝化质量通过采用微波光电导衰减的方法证明Al2O3介质层可提供优异的表面钝化效果。此外,通过采用C-V技术和椭圆偏振光谱测试技术对Al2O3介质层的表征证明,除了薄膜层中的负固定电荷,Al2O3介质层的H的含量在钝化效果中起着关键作用。
出处
《太阳能》
2013年第6期38-40,共3页
Solar Energy
基金
科技部2009CB939703
2012AA050304
NSFC 51172268
11104319
2013年度基金重点
北京市Y2BK024001
中科院Y1YT064001
Y1YF034001
Y2YF014001