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超薄BaTiO_3铁电薄膜隧穿机理研究

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摘要 采用磁控溅射法制备超薄BaTiO3铁电薄膜,分析了电子隧穿过程,将电流-电压曲线作不同线性拟合,探讨单极性开关和双极性开关形成的物理机制。结果表明Pt/BaTiO3/Pt隧道结中存在SCLC机制、Schottky发射、P-F发射三种物理机制。
作者 何苗 章天金
出处 《科技信息》 2013年第9期26-28,共3页 Science & Technology Information
基金 国家自然科学基金项目 项目编号为No.11174071 湖北省重大专项资助项目研究成果 项目编号为No.2011AAA002
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参考文献8

  • 1Waser R.,Aono M.Nanoionics-based resistive switching memories[J].Nature Mater, 2007, 6: 833-840.
  • 2Yan X. B., Xia Y. D. Effects of the electroforming polarity on bipolar resistive switching characteristics of SrTiO3-δ films[J]. Appl. Phys. Lett., 2010, 97(11):112101- 112101-3.
  • 3Jeong D. S., Hwang C. S. Tunneling-assisted Poole-Frenkel conduction mechanism in HfO2 thin films[J]. J. AppL. Phys., 2005, 98(11): 113701-113701-6.
  • 4Frenkel J. On Pre-Breakdown Phenomena in Insulators and Electronic Semi- Conductors[J]. Phys. Rev., 1938, 54(8): 647-648.
  • 5Simmons, John G. Poole-Frenkel Effect and Schottky Effect in Metat- Insulator-Metal Systems(J]. Phys. Rev., 1967, 155(3): 657-660.
  • 6Yang Y. C., Pan F., Liu Q., et al. Fully Room-Temperature-Fabricated Nonvolatile Resistive Memory for Ultrafast and High-Density Memory Application [J]. Nano Lett., 2009, 9(4): 1636-1643.
  • 7Morgan D. V., Howes M. J. Electrofonning and switching in copper oxide films [J]. Phys.Stat. SoL(a), 1974, 21(1): 191-195.
  • 8Tondelier D., Lmimouni K., Vuillaume D., et al. Metal/organic/metal bistable memory devices[J]. Appl. Phys. Lett., 2004, 85(23): 5763-5763-5.

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