摘要
设计并试制了一种多元胞结构的半导体电涌吸收器件（SSAD），旨在降低器件工作时的最高温度并提高其过浪涌能力。初步实验结果证明器件经历过电涌后，其失效率比单元胞有较显著的降低。
The semiconductor surge absorption device(SSAD)with a multi-cell structure is designed and developed. It can reduce the maximum temperature, therefore improve the surge handling capability of the device.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期10-12,共3页
Semiconductor Technology
基金
广东省自然科学基金
