摘要
报道了 1.8μm波段台面条形结构InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的研制结果 ,器件在 77K下以脉冲方式工作 ,阈值电流约 2 5mA ,中心波长约 1.84 μm。
The performance of mesa-stripe InGsSb/AlGsSb MQW lasers grown by M BE is reported. The threshold current of the lasers is about 25 mA at 77 K with central wavelength of 1.84 μm.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期355-357,362,共4页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家 8 63计划资助项目!(715 - 0 0 1- 0 142 )
