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等离子体源离子植入硅中的高剂量率效应

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作者 马兵
出处 《等离子体应用技术快报》 2000年第3期18-19,共2页
关键词 等离子体源 高子植入 硅 高剂量率效应
分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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等离子体应用技术快报
2000年 第3期

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