双面多层金属化工艺在轴向大电流金属封装二极管中的运用

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摘要 0前言金属封装的大电流二极管,在较高质量等级的型号工程中有实际应用需要。但在实际生产中,因传统的正面铝层背面多层或金层的芯片生产工艺无法实现大电流电极的引出,所以需将原来的正铝背多层芯片进行双面多层金属化,才能将上电极铝丝超声键合方式改为铜引线焊接,保证较大的正向电流容量和较小的正向饱和压降,

作者王智叶婵

机构地区哈尔滨晶体管厂

出处《科技信息》 2013年第7期135-135,共1页 Science & Technology Information

关键词金属封装大电流二极管金属化工艺双面芯片生产工艺轴向多层金属化

分类号 TN405.96 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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3刘瑞丰,郑俊哲.MCM多层金属化及刻蚀技术研究[J].微处理机,2005,26(1):7-8. 被引量：1
4杨碧梧.肖特基二极管多层金属化系统的研究[J].山东半导体技术,1994(3):5-11.
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9薛建国.肖特基二极管背面金属化工艺技术[J].中国科技信息,2013(15):111-111.
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