摘要
ISFET虽然具有重量轻、体积小、响应快以及易于实现集成化和多功能化等特点而倍受人们的重视,但是这类器件还存在着漂移和滞后量大等不足,影响了测量精度。众所周知,对于一价离子,如按Nernst公式估算,每1mV的测量偏差大约相当于4％的浓度误差或2％的pX误差(pX=-logα_x)。对于二价离子,则误差将加倍。实际测量中温漂和滞后是比较明显的。例如pH-ISFET的温漂可达几mV/℃,滞后达数mV到十几mV,器件的时漂约为0.1～1mV/h。值得指出的是pH-ISFET的响应分为快响应和慢响应两部分,前者响应极快,一般在ms数量级,而后者可能长达数小时之久,在此期间器件的输出明显地随时间变化。由此可见,
出处
《传感器技术》
CSCD
1991年第5期57-62,共6页
Journal of Transducer Technology
