摘要
扼要介绍了通常的硅CMOS、双极和BiCMOS技术以及GaAs、GeSi技术的发展趋势,同时也介绍了高速集成技术发展中引入的一些新技术。
In this paper, the author describes a developmental trend of conventional Si CMOS, bipolar, BiCMOS, GaAs and GeSi processes, at the same time also presents some new techniques incoming in developing hi-speed integrating technology.
出处
《电子元器件应用》
2000年第10期6-13,共8页
Electronic Component & Device Applications