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GaAs和InP基HFET工艺中的选择腐蚀技术(续) 被引量:2

The Selective Etching Technology in GaAs-Based and InP-Based HFET
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作者 李效白
出处 《半导体情报》 2000年第5期5-11,共7页 Semiconductor Information
关键词 砷化镓 INP HFET 腐蚀技术 Dry etching Wet etching Selective etching Technology of HFET
  • 相关文献

同被引文献4

  • 1梁玉英.InGaAs/InAlAs/InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀[J].半导体情报,1995,32(2):47-50. 被引量:1
  • 2TAKAHASHI H,MASNAGHETTI D,RICHARDSON N.Double Gate Integrator Scheme for Electron Beam Tester[P].US Patent:5210487,1993-5-11.
  • 3KELLER U,MILLER D A B,BOYD G D,et al.Solidstate low-loss intracavity saturable absorber for Nd:YLF lasers:An A-FPSA[J].Opt Lett,1992,17(7):505-507.
  • 4KELLER U,et al.Broad band saturable absorber for 10-fs pulse generation[J].Opt Lett,1996,21(10):743-745.

引证文献2

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