摘要
综述了近年来以 HBT、MESFET及 HEMT为基本单元的 Ga As超高速集成电路的发展情况 ,并对其市场的应用作一介绍。
This paper describes the recent development of GaAs very high speed IC,the basic unit are MESFET,HBT and HEMT,also introduces the market of it.
出处
《半导体情报》
2000年第5期17-22,40,共7页
Semiconductor Information
