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2.5~10Gb/s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究 被引量:2

Study of device performance for 2.5~ 10Gb/s HEMT modulator driver IC
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摘要 主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电路HEMTIC设计开展研究。着重讨论了PHEMT器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5~10Gb/sPHEMTIC光驱动电路进行了计算机仿真,眼图模拟结果表明满足2.5~10Gb/s高速光纤通信系统需要。 This paper focuses on the research of device performance for 2.5~ 10Gb/s HEMT modulator driver IC. The effect of device threshold voltage and current gain cutoff frequency to driver IC is discussed, and the range of the above parameter range to meet driver IC requirement is calculated. Eye diagrams simulation is made for 2.5~ 10Gb/s HEMT modulator driver IC by using PSPICE.
出处 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期145-149,共5页 Journal of Functional Materials and Devices
关键词 HEMT器件 性能研究 光纤通信 调制器驱动电路 High- speed optoelectronic integrated circuit Modulator driver Optical transmitters Driver IC HEMT device
  • 相关文献

参考文献2

  • 1高建军,博士学位论文,1999年
  • 2Lao Z,J Lightwave Tech,1998年,16卷,8期,1491页

同被引文献2

引证文献2

二级引证文献2

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