期刊文献+

半导体所在(Ga,Mn)As纳米线研究方面取得了新进展

下载PDF
导出
摘要 半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究团队近年来在提高(Ga,Mn)As居里温度方面取得了一系列重要进展。最近赵建华研究员和博士生俞学哲等与美国佛罗里达州立大学熊鹏和StephanyonMolnar教授研究组合作,国际上率先采用Ga液滴自催化方法制备出全闪锌矿结构GaAs/(Ga,bin)As核.壳磁性纳米线。他们首先利用铂液滴自催化方法,通过三相线位移调控GaAs纳米线结构相变,
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期777-777,共1页 Journal of Synthetic Crystals
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部