美首次研制出稳定的单原子层锗

60年前，锗被用来做成了第一块晶体管，但随后被硅取代，现在，美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗——单锗，其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在美国化学会《纳米》杂志上。