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美首次研制出稳定的单原子层锗
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摘要
美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗单锗(germanane),其电子迁移率是硅的10倍,因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在最新一期的美国化学会《纳米》杂志上。
出处
《纳米科技》
2013年第2期87-87,共1页
关键词
原子层
锗
稳定
美国科学家
电子迁移率
美国化学会
单原子
晶体管
分类号
TN405.982 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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