摘要
本文研究了基于双面研磨轨迹优化的LED用SiC衬底加工方法。为了实现对碳化硅衬底的高效低损伤研磨加工,对碳化硅衬底的行星机构双面研磨轨迹进行了优化。通过选择适当的加工参数,使工件处于摆线中间的环带部分,将有助于对工件进行均匀研磨并提高材料去除率。实验表明:采用320号碳化硼磨料双面研磨碳化硅衬底90min后,可以获得Ra为0.579μm;材料去除率达到1.53μm/min。
出处
《制造业自动化》
北大核心
2013年第10期36-37,41,共3页
Manufacturing Automation
基金
江苏省自然科学基金项目(BK2008197)
江苏省高校科研成果产业化推进项目(JH10-X048)
江苏省"青蓝工程"
江苏省新型环保重点实验室开放课题基金(AE201120)
江苏省生态环境材料重点建设实验室开放课题资助(EML2012013)
国际科技合作聘专重点项目的资助
