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三星电子量产20纳米级4Gb超高速移动DRAM

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摘要 近日,三星电子正式投产超高速移动DRAM,移动DRAM将大幅提高设备的数据处理能力,新产品将用于今年上市的高配移动设备上。4月,三星电子在业内首次量产20纳米级(一纳米等于十亿分之一米)4Gb(Gigabit)LPDDR3(Low Power Double Data Rate3)移动DRAM。
机构地区 三星电子
出处 《中国集成电路》 2013年第6期73-73,共1页 China lntegrated Circuit
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