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三氟化氮与等离子体工艺
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2
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摘要
介绍了用NF_2代替传统使用的NH_3制备掺氟低氢等离子增强化学汽相淀积(PECVD)Six Ny:F膜、用NF_3代替CF_4等离子刻蚀超厚氮化硅薄膜的工艺试验条件和结果,对有关实际问题进行了讨论。
作者
俞诚
机构地区
机电部中国华晶电子集团公司
出处
《低温与特气》
CAS
1991年第4期26-29,共4页
Low Temperature and Specialty Gases
关键词
等离子体
三氟化氮
工艺
薄膜
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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低温与特气
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