Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构

利用磁控反应溅射方法以Ｔａ作为缓冲层制备了Ｔａ／ＮｉＯ／ＮｉＦｅ／Ｔａ薄膜，磁性分析表明，该结构薄膜的交换耦合场为９．６×１０＾３Ａ／ｍ，但是所需ＮｉＯ的实际厚度增加了。采用Ｘ射线光电子能谱研究了Ｔａ／ＮｉＯ／Ｔａ界面，并进行计算机谱图拟合分析。结果表明界面反应是影响层间耦合的一个重要因素。在Ｔａ／ＮｉＯ界面处发生了反应：２Ｔａ＋５ＮｉＯ＝５Ｎｉ＋Ｔａ２Ｏ５，使得界面有“互混层”存在。