期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族
下载PDF
职称材料
导出
摘要
日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新丞件采用8种不同封装,将10V下的导通电阻扩展到30-600mΩ,将最高电流等级扩大为6-105A。
出处
《电子设计工程》
2013年第12期163-163,共1页
Electronic Design Engineering
关键词
功率MOSFET
N沟道
家族
导通电阻
电流等级
INC
器件
封装
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
Vishay推出用于通信电源的170VTMBS整流器[J]
.电信工程技术与标准化,2012,25(10):72-72.
2
Vishay推出用于通信电源的170V TMBS@整流器[J]
.电子设计工程,2012,20(21):14-14.
3
Vishay推出用于通信电源的170VTMBS~整流器[J]
.中国集成电路,2012,21(11):76-76.
4
Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列[J]
.电子设计工程,2012,20(21):111-111.
5
Vishay推出用于汽车和其他领域的新款45V和50V TMBS整流器[J]
.电子设计工程,2014,22(4):87-87.
6
Vishay新款TMBS~整流器减少功率损耗并提高效率[J]
.电子设计工程,2013,21(16):157-157.
7
采用低损耗IGBT为次级2.5kW逆变器应用提升开关性能[J]
.电子与电脑,2008(4):51-52.
8
Vishay推出低耗高效的新款TMBS整流器[J]
.中国集成电路,2013,22(9):7-7.
9
Ulrich Nicolai,Tobias Reimann,李毅,魏宇浩.
现代功率模块及器件应用技术(4)[J]
.电源技术应用,2005,8(4):60-64.
10
欧阳志红.
IGBT原理及应用[J]
.科技信息,2012(33).
被引量:2
电子设计工程
2013年 第12期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部