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相变存储器专利技术现状和趋势分析 被引量：3

Review of Patent Technology Related to Phase Change Memory
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摘要 选择相变存储器作为主题,通过标准的检索方式,使用关键词并结合国际专利分类号,对中国专利检索数据库中的中国发明专利申请进行了全面的检索,得到相关的发明专利申请,对上述数据进行细致的手工筛选分类,并作了深入的研究分析,揭示了中国相变存储器领域内发明专利申请的当前状况和未来的发展趋势。 The Chinese patent and patent application were reviewed in the field of phase change memory through standard searches using key words and international patent classification. These dates of Chinese PCM patents were analyzed by computer search and manual sorting. The results reveal the current patent deployment status and the future development trend within the field of phase change memory in China.
作者 范崇飞 杨燕 张思秘 王丽
机构地区 国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心
出处 《金属功能材料》 CAS 2013年第3期54-59,共6页 Metallic Functional Materials
关键词 相变存储器 专利技术 专利布局 PCM patent technology patent deployment
分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
  • 相关文献

参考文献20

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共引文献2

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引证文献3

二级引证文献31

金属功能材料
2013年 第3期

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