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高功率密度高效率28V GaAs PHEMT技术 被引量：1

A High Power Density High Efficiency28 V GaAs PHEMT Technology
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摘要 报道了采用双场板设计的GaAs PHEMT器件,该器件栅长为0.5μm,工作电压28V,在2GHz下饱和输出功率2.18W/mm,功率附加效率PAE=67%。 A GaAs PHEMT device using dual field-plated design and 0.5 μm gate length is reported.In this work,GaAs PHEMT operating voltage is 28 V,and it achieves high power density of 2.18 W/mm as well as high PAE of 67% at 2 GHz.
作者 林罡 陈堂胜
机构地区 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期240-243,共4页 Research & Progress of SSE
关键词 砷化镓 微波单片集成电路 赝配高电子迁移率晶体管 场板 GaAs MMIC PHEMT field-plate
分类号 TN386 [电子电信—物理电子学] TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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参考文献11

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同被引文献1

引证文献1

固体电子学研究与进展
2013年 第3期

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