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影响IGBT器件短路能力的一种栅极振荡现象研究 被引量:1

A Gate oscillation research to IGBT short circuit capability
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摘要 功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先介绍了IGBT的短路特性及测试方法和条件,分析了栅极异常振荡对IGBT的短路电流的影响,提出了改善IGBT器件短路能力的方法。 Power IGBT is widely used due to its excellent performance in areas such motor drives, welding machines and switch power supplies. IGBT short circuit characteristics and measurement methods are introduced briefly, then Gate abnormal oscillation induced IGBT short circuit damages are researched. Finally, a method to optimize the IGBT Gate oscillation is proposed to improve the IGBT short circuit capability.
出处 《中国集成电路》 2013年第7期42-46,共5页 China lntegrated Circuit
关键词 绝缘栅晶体管 短路电流特性 栅极振荡 IGBT short Circuit characteristics Gate oscillation
  • 相关文献

参考文献4

  • 1IEC 60747-9. Semiconductor devices-Discrete devices-Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)[M].Switzerland.International Electrotechnical Commission,2007.
  • 2Stefan Linder;肖曦;李虹.功率半导体-器件与应用[M].
  • 3Josef Lutz. Heinrich Schlangennotto.Uwe Scheuermann.Rik De Doncker[M].Semiconductor Power Devices,.
  • 4李定宣;丁增敏.现代高频感应加热电源工程设计与应用[M].

同被引文献3

引证文献1

二级引证文献4

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