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保护大容量半导体装置的熔断器

Fuse for Protection of Semiconductor Devices
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摘要 介绍了一种保护半导体装置用的薄膜型熔断器的特点、结构和有关制造技术。它具有良好的限流作用、较低的允通焦耳积分和熔体电流密度 ( 6kA/mm2 以上 ) ,熔断器外形尺寸小和特性稳定 。 In this paper, a kind of thin film fuses was introduced. These fuses have higher current limiting characteristics, lower let through Joule integral and the current density of fuse element exceeding 6 kA/mm 2. So, they are good semiconductor fuses.
出处 《低压电器》 北大核心 2000年第3期21-22,共2页 Low Voltage Apparatus
关键词 薄膜型熔断器 半导体装置 制造技术 thin film fuse semiconductor device manufacture's technology
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参考文献3

  • 1[1]Andrzej Wohny. What can Fuses Offer to Survive the Next Century. Proceedings of Sixth International Con ference on Electrical Fuses and Their Applications. Torino, Italy, 1999
  • 2[2]Pawlak R. Optimization of Conditions of Laser Alloying of Silver Surface Layer. Proc SPIE: Laser Technology IV, Vol. 2202, Bellingham, 1994
  • 3[3]Harrison R, Harrison I, Howe A F. Thin Film Fuse Link. Proceedings of ICEFA Ilmenau Germany, 1995

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