摘要
介绍了一种保护半导体装置用的薄膜型熔断器的特点、结构和有关制造技术。它具有良好的限流作用、较低的允通焦耳积分和熔体电流密度 ( 6kA/mm2 以上 ) ,熔断器外形尺寸小和特性稳定 。
In this paper, a kind of thin film fuses was introduced. These fuses have higher current limiting characteristics, lower let through Joule integral and the current density of fuse element exceeding 6 kA/mm 2. So, they are good semiconductor fuses.
出处
《低压电器》
北大核心
2000年第3期21-22,共2页
Low Voltage Apparatus
关键词
薄膜型熔断器
半导体装置
制造技术
thin film fuse semiconductor device manufacture's technology