期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

世界第一例铜电镀硅异质结太阳能电池诞生

下载PDF

导出

摘要日本钟渊（Kaneka）和比利时微电子研究中心（IMEC）在现有铜电镀技术的基础上，成功研发出高效铜电镀硅基异质结太阳能电池．电镀铜在透明导电氧化层上接触输电网，6英寸硅衬底的光电转换效率超过21％．

出处《上海有色金属》 CAS 2013年第2期92-92,共1页 Shanghai Nonferrous Metals

关键词太阳能电池铜电镀异质结硅基世界光电转换效率电镀技术透明导电

分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]

引文网络
相关文献

1高效铜电镀硅基异质结太阳能电池成功研发[J].电镀与涂饰,2011,30(12):79-79.
2世界第一例铜电镀硅异质结太阳能电池诞生[J].表面工程资讯,2012,12(1):18-19.
3彭坤,呼翔,罗登贵,王飚.长等待时间下铜互连线形成球状缺陷的机理研究及解决方案[J].纳米技术与精密工程,2014,12(1):51-55. 被引量：1
4YARBOAUDIOPHILE（雅堡）：OCC-802TV—F数码视频线[J].家庭影院技术,2007(9):9-9.
5GeorgeAllardyce.填塞微导通孔的铜电镀技术[J].印制电路信息,2004(7):71-71.
6英飞凌携手IMEC合作开发汽车79GHz CMOS雷达传感器芯片[J].汽车零部件,2016(6):31-31.
7研究人员开发出整合Ⅲ-V族与矽材料的3DFinFET半导体[J].电子产品可靠性与环境试验,2013,31(A01):226-226.
8英飞凌携手IMEC合作开发汽车79GHz CMOS雷达传感器芯片[J].汽车制造业,2016,0(12):9-9.
9研究人员开发出整合III—V族与矽材料的3DFinFET半导体[J].电子世界,2013(22):4-4.
10王爱博.应用于硅通孔的深孔铜电镀工艺优化[J].热加工工艺,2013,42(14):93-96. 被引量：4

上海有色金属

2013年第2期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部