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Vishay发布新款具有“R”失效率的QPL钽氮化物薄膜片式电阻

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摘要 Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出通过MIL-PRF-55342认证的新系列QPL表面贴装片式电阻——E/H(Ta2N),该电阻具有公认的高可靠性,失效率达到每1 000 h0.01%的"R"级。新款E/H(Ta2N)电阻采用耐潮的钽氮化物电阻膜技术制造,为军工和航天应用提供了更好的规格指标,包括0.1%的公差和25 ppm/℃的TCR。
出处 《电子设计工程》 2013年第14期180-180,共1页 Electronic Design Engineering
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