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高效碳纲米管薄膜晶休管和大规模超薄柔性集成电路
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职称材料
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摘要
碳纳米管具有非凡的电学特性,单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNT-FET)已经表现出比同等沟道尺寸的硅器件更优良的电学特征参数。然而,受碳管手性、直径、排布、
出处
《功能材料信息》
2013年第3期42-42,共1页
Functional Materials Information
关键词
碳纳米管场效应晶体管
集成电路
柔性
超薄
薄膜
电学特性
特征参数
硅器件
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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纳米技术进入无线应用领域[J]
.电子设计应用,2003(7):11-12.
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研制出一种具有优异存储特性的碳纳米管基铁电场效应晶体管[J]
.中国科学院院刊,2009,24(3):308-309.
3
钟汉清,陈长鑫,刘晓东,魏良明,苏言杰,张丽英,张亚非.
基于Pd/SWNT/Al结构的场效应晶体管的研究[J]
.半导体光电,2015,36(3):435-438.
被引量:1
4
黄改燕,陈长鑫,张亚非.
单壁碳纳米管场效应晶体管的制备工艺研究[J]
.微纳电子技术,2008,45(2):78-82.
5
李桂锋,陈文彬.
一种TFT源漏极沟道尺寸的自动测量方法[J]
.现代电子技术,2011,34(4):81-83.
6
吴晓鹏,杨银堂,刘海霞,董刚.
沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响[J]
.西安电子科技大学学报,2015,42(6):113-117.
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崔宇平,王志刚.
采用ADS的CMOS双平衡混频器设计[J]
.电子元器件应用,2011,13(8):18-20.
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8
姚琢,薛伟东,刘肃.
SITH耐压容量的控制和调节[J]
.兰州大学学报(自然科学版),2001,37(5):42-47.
9
苏巍,涂继云.
先进的小尺寸金属栅CMOS工艺开发[J]
.电子与封装,2007,7(1):36-38.
被引量:2
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刘奎,丁宏林,张贤高,余林蔚,黄信凡,陈坤基.
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2013年 第3期
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