期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

美首次制造出不使用半导体的晶体管

下载PDF

导出

摘要美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。

出处《纳米科技》 2013年第3期88-88,共1页

关键词晶体管半导体制造量子隧穿效应美国科学家纳米尺度电子设备量子点

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1美首次制造出不使用半导体的晶体管[J].山东陶瓷,2013(4):19-19.
2利用纳米级氮化硼和金量子点实现量子隧穿效应美首次制造出不使用半导体的晶体管[J].今日科苑,2013(17):41-41.
3利用纳米级氮化硼和金量子点实现量子隧穿效应[J].黑龙江科技信息,2013(20).
4商耀辉,武一宾,卜夏正,牛晨亮,王建峰,李亚丽,张雄文.隧穿型量子效应薄膜材料制备技术[J].真空科学与技术学报,2007,27(z1):15-17.
5不使用半导体的晶体管[J].光学精密机械,2013,0(2):14-14.
6美国：开发出世界上最小晶体管[J].中国信息界,2016,0(5):56-56.
7量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题[J].电子元件与材料,2012,31(5):38-38.
8量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管[J].电子产品可靠性与环境试验,2012,30(3):5-5.
9张微.量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管[J].今日科苑,2012(9):110-111.
10美科学家研制出新型隧穿场效应晶体管[J].科学中国人,2012(8):55-55.

纳米科技

2013年第3期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部