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在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体上制成超晶格光波导

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摘要最近,松下电器公司光半导体研究所以有机金属气相外延(MOVPE)法开发Ⅱ-Ⅲ族化合物半导体的超晶格制作技术,以此在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs上形成100层Ⅱ-Ⅵ族的ZnSe/ZnS超晶格层。用这一超晶格层制出负载型光波导,以He-Ne激光入射,第一次成功地做了超晶格三维可见光波导实验。

作者潘守夔

出处《国外激光》 CSCD 1989年第2期22-23,共2页

关键词半导体化合物光波导超晶格

分类号 TN814.6 [电子电信—信息与通信工程]

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国外激光

1989年第2期

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