期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

Vishay利用PowerPAK~封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen Ⅲ P沟道产品

下载PDF

导出

摘要日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布推出采用PowerPAK1212—8封装的-40V——SiS443DN和PowerPAK1212—8S封装的－30V——SiSS27DN器件，

出处《电子设计工程》 2013年第15期116-116,共1页 Electronic Design Engineering

关键词封装 III P沟道利用产品 INC 器件

分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1具有极小占位面积的20V N通道功率MOSFET＋肖特基二极管[J].今日电子,2009(1):111-111.
2采用PowerPAK 1212-8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET[J].电子设计工程,2010,18(6):185-185.
3Si7655DN：MOSFET[J].世界电子元器件,2013(2):30-30.
4Vishay出新型20Vn通道功率MOSFETSiR440DP[J].电子质量,2008(12):46-46.
5Vishay推出第三代功率MOSFET[J].中国电子商情,2008(12):93-93.
6SiR872ADP：功率MOSFET[J].世界电子元器件,2013(6):31-31.
7郑畅.Vishay利用PowerPAK&reg封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen Ⅲ P沟道产品[J].半导体信息,2013(4):6-7.
8赵佶.Vishay MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录[J].半导体信息,2014(2):5-6.
9SiA975DJ:P沟道功率MOSFET[J].世界电子元器件,2010(5):30-30.
10采用Kelvin连接的600V MOSFET[J].今日电子,2015,0(11):65-66.

电子设计工程

2013年第15期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部