摘要
利用水溶液提拉法,把籽晶放在育晶器的底部,沿〈110〉方向进行提拉生长,生长出了截面较大的KDP单晶12mm×12mm×31mm。〈110〉方向的生长速度较传统的溶液降温法得到了一定的提高。这主要是由于提拉使得晶体在提拉方向上的溶质边界层梯度持续发生变化造成的。
KDP single crystal with overall dimension 12 mm× 12 mm× 31 mm and relatively large cross section were grown at the bottom of crystal growth device using aqueous solution pulling method. The growth rate along ( 110) direction were improved compared with that in the traditional aqueous solution cooling method. It is mainly be- cause of continuous change of the concentration gradient in the solute boundary layer.
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第14期35-37,共3页
Materials Reports
基金
国家自然科学基金(11175045
60908006)
关键词
KDP晶体
溶液降温法
提拉法
KDP crystal, solution cooling method, pulling method