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氮掺杂的金刚石磁性研究 被引量:4

The magnetism study of N-doped diamond
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摘要 采用第一性原理计算方法研究金刚石中由空位或者N掺杂引起的磁特性.发现-1价和-2价的碳空位能分别产生3μB和2μB的磁矩;-2价的碳空位能够引发长程有序的铁磁耦合状态,而-1价的碳空位更倾向于反铁磁耦合.掺杂N元素能有效地控制空位的荷电状态及相应的磁相互作用,这一结果为在金刚石中实现非过渡族金属掺杂的铁磁性提供了一条新的路径. We perform the first-principles calculations to investigate the roles of C vacancy and nitrogen impurity in the magnetic properties of diamond. The coupling is ferromagnetic between the C vacancies in -2e charged state, whereas they prefer to interact antiferromagnetically in -e charged state. Substituting C with N atoms can manipulate the charge states of C vacancies and the magnetic interactions between them. Our work offers a possible route toward high Curie temperature ferromagnetism in metal-free diamond.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第16期301-304,共4页 Acta Physica Sinica
基金 宁夏大学自然基金(批准号:ZR1101 ZR1110)资助的课题~~
关键词 第一性原理计算 氮掺杂 金刚石 磁性 first-principles calculation, N-doped, diamond, magnetism
  • 相关文献

参考文献17

  • 1Mainwood A 1999 Phys.Sta.Sol.25 172.
  • 2Ban-Yam Y,Moustakes T D 1989 Nature 342 786.
  • 3Moustakes T D 1989 Nature 342 786.
  • 4吴俊,马志斌,沈武林,严垒,潘鑫,汪建华.2013.物理学报 62 075202.
  • 5Monkhorst H J,Pack J D 1976 Phys.Rev.B 13 5188.
  • 6Pack J D,Monkhorst H J 1977 Phys.Rev.B 16 1748.
  • 7Perdew J P,Burke K,Ernzerhof M.1996.Phys.Rev.Lett.77 3865.
  • 8Perdew J P,Burke K,Wang Y.1996.Phys.Rev.B 54 16533.
  • 9Perdew J P,Wang Y.1992.Phys.Rev.B 45 13244.
  • 10Zhou S,Xu Q,Potzger K,Talut G,Grtzsche R,Fassbender J,Vinnichenko M,Grenzer J,Helm M,Hochmuth H,Lorenz M,Grundmann M,Schmidt H.2008.Appl.Phys.Lett.93 232507.

同被引文献56

  • 1廖克俊,王万录,张振刚,吴彬.热灯丝CVD金刚石膜硼掺杂效应研究[J].物理学报,1996,45(10):1771-1776. 被引量:14
  • 2刘以良,孔凡杰,杨缤维,蒋刚.金刚石延(111)面生长的第一性原理研究[J].物理学报,2007,56(9):5413-5417. 被引量:10
  • 3Gerum W, Bruck M, Fischer G, Henry D, Rothacker H P 2005 IEEETrans. on ED 52 669.
  • 4Liao F J 1999 Vacuum Electronics (Beijing: Electronics Industry Press) (in Chinese).
  • 5Theiss A J, Meadows C J, True P B 2007 IEEE Trans. on ED 54 1054.
  • 6Ghosh T K, Challis A J, Jacob A, Bowler D, Carter R G 2008 IEEETrans. on ED 55 668.
  • 7Han Y, Liu Y W, Ding Y G, Liu P K 2009 Acta Phys. Sin. 58 1806 (in Chinese).
  • 8Crivello R, Richard W, Grow R 1988 IEEE Trans. on ED 35 1701.
  • 9Wei P,Zhou M G,Zhu L,Zhang J 2013 Acta Phys. Sin. 62 317 (in Chinese).
  • 10Liu Y W, HanY 2011 J. Vac. Sci. Technol. 31 424 (in Chinese).

引证文献4

二级引证文献8

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