我国(Ga,Mn)As磁性半导体研究取得进展

7月9日,《物理评论快报》（Phys.Rev.Lett.111,027203 2013）报道了中科院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究组及合作者在（Ga,Mn）As/Co2FeAl双层膜铁磁界面耦合和磁邻近效应方面取得的最新研究成果。