硅基光纤中的氢损机理

本文研究了氢与玻璃结构的反应机理,发现其反应可分为两部分。一部分是氢与玻璃网格结构的反应,而不是与缺陷中心的反应,在高温下此部分反应会引起短波长边际损耗效应、羟基基团量和长波长边际损耗的增加。第二部分据认为是氢与抗磁缺陷中心(≡Si)反应引起的,它产生于拉丝过程中,并在0.63μm 引起额外吸收。另外,室温下的反应引起 OH的生成和近1.52μm 处吸收峰的产生。