摘要
文章研究了在127 mm硅片上分别生长金属铝和二氧化硅氮化硅叠两种IC常用材料作为衬底对光刻胶形貌的影响,其造成光刻胶形貌差的原因是金属底部反射率高导致光刻胶侧面曝光和入射光通过二氧化硅氮化硅叠层厚度的光程差正好为光源波长的整数倍,从而导致光刻胶底部干涉光同相位。通过增加底部抗反射层和调整最佳膜层厚度解决了在这两种衬底材料下光刻胶形貌差的问题。
The influence of the photo resists cross section on alliums and SiO2 substrate had been investigated. We can get better photo resists cross section by adding bottom arc layer on alliums substrate, if transparent substrate, it can be done by changing the film thickness.
出处
《电子与封装》
2013年第8期37-39,共3页
Electronics & Packaging
关键词
光刻胶剖面
抗反射层
薄膜厚度
photo resist cross section
bottom arc layer（BARC）
film thickness
