硅高频大功率器件集电区纵向结构的研究
出处
《电子》
1991年第1期20-22,18,共4页
-
1魏焕,马伊民.一种对大功率器件微放电检测新方法的研究[J].空间电子技术,2014,11(4):7-10. 被引量:3
-
2杨莫慧.大功率器件用碳化硅材料[J].有色与稀有金属国外动态,1997(10):8-10.
-
3凌力尔特推出低功率14位125Msps ADC[J].电子与电脑,2008(11):63-63.
-
4飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管[J].世界电子元器件,2014(2):46-46.
-
5章从福.最快晶体管的频率接近太赫兹[J].半导体信息,2007,0(3):10-11.
-
6郑畅.飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管 具领先的增益性能[J].半导体信息,2013(6):10-11.
-
7周鑫.飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管[J].单片机与嵌入式系统应用,2014,14(2):80-80.
-
8严北平,罗晋生.PNP和NPN型异质结双极晶体管的不同设计考虑[J].固体电子学研究与进展,1997,17(3):212-217.
-
9周蓉,胡思福,张庆中.一种提高硅双极器件频率和功率的新技术[J].微电子学,2000,30(2):100-102.
-
10陈其工,凌有铸,张绍德.全数字通用变频器中 GTR 开关频率的提高与可靠性研究[J].电气传动自动化,1996,18(1):54-57. 被引量:1
;