我国高质量石墨烯和磋烯饼究取得进展

中国科学院物理研究所／北京凝聚态物理国家实验室（筹）的研究人员在高质量石墨烯研究方面取得了一系列突破性进展：提出了基于表面外延的石墨烯生长技术，在金属表面获得了高质量、大面积、连续的单晶石墨烯；对石墨烯的控制生长、物理性质、性能调制进行了系列研究；首次提出了“原位非转移”的硅插层技术，成功地将该高质量石墨烯“直接”置于硅材料上，形成了“石墨烯／硅”异质结构，使石墨烯和当前的硅基互补金属氧化物半导体工艺（CMOS）兼容成为可能。